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| 【LED】LED論壇：聚焦2012成本降低和技術提升 |
| （時間:2012-3-27 10:33:07） |
2012年3月21日，與SEMICONChina2012同期舉辦的“LEDChina論壇2012”在上海嘉里中心舉辦，論壇議題聚焦于技術與市場最前沿：藍光LED發明人中村修二教授帶來極化LED最新研究成果，普瑞光電公布基于8寸硅襯底開發的GaNLED產品的應用表現，另外，美國QDVision公司也介紹了其量子點LED技術進展，而大規模MOCVD反應設備、低成本LED光刻和照明細分市場等也成為此次論壇的主要內容，特別值得關注的是，對于襯底材料（硅襯底）的研發，此次論壇上有六位演講者在其發言中重點提及，而“如何提升產量與性能及通過技術研發降低成本”也成為本次論壇的主基調。
加州大學圣巴巴拉分校教授、氮化鎵藍光之父中村修二博士在LEDChina2012論壇上作為重量級嘉賓特別演講了關于固態照明市場的現狀和未來發展趨勢，報告題目為《非極性、準極性藍綠光LED及激光管的最新進展》。中村修二從專業視角深度分析了非極性、準極性氮化鎵相較于傳統的c面氮化鎵在發光效率、減少藍移、解決綠光gap方面有著極大優勢，并通過詳細的數據圖表進行對比說明。非極化、準極化藍綠光氮化鎵激光器相較于傳統氮化鎵激光器空穴有效質量更小、動能矩陣元素更大、更低的透過載流子密度、更高增益等，將廣泛應用于下一代顯示器及投影儀；最后，中村修二教授介紹了課題組采用氨熱法制備大體積氮化鎵晶體的進展及成果。
愛思強股份有限公司大中華區副總裁ChristianGeng博士的演講題目為《先進MOCVD技術助力大規模LED產能與性能提升》。他特別提出，如何提升生產力和提升產品性能將成為未來趨勢，尤其要考慮技術應如何盡可能地滿足市場的需求。他在發言中提到：通過加大反應器尺寸，由2寸晶圓片向4寸、6寸、甚至8寸轉化，將大大降低成本；如果和56片機（二英寸）的產能相比，8片機（6英寸）MOCVD將提升30%的產能，而成本則會下降35%。而尺寸增大后，會直接導致良率下降，而有效控制工藝過程的一致性及良率問題也是關鍵問題。
普瑞光電研發副總裁LongYang聲稱，普瑞光電明年中期將開始8英寸硅襯底的量產，而對于目前未能量產的原因，普瑞的解釋是“在良率上和可靠性上尚未得到突破”。對于硅襯底的發展趨勢，他認為：硅襯底最大的優點將體現在產量方面，隨著未來大規模生產和工藝的改進，硅襯底在生產量和良率上的優勢將得到明顯體現。如果八英寸量產實現，將有望一舉打破現有襯底技術的局限性，整個行業的格局或將隨之發生重大變化。
2010年進入MOCVD研發領域的韓國半導體設備制造商周星工程有限公司全球營銷總監黃俊凱也詳細闡述了超大規模MOCVD技術降低LED制造成本的情況。他認為，未來襯底材料的改變（硅襯底）將會提升產量和降低成本，目前周星也已進入這一領域的研發。
LayTecAG公司的業務開發經理ThiemeTom重點分享了實時監測對于提高LED制造良率的重要性，主要關鍵點在于通過實時監測外延生長的溫度、曲度及厚度來判斷整個外延生長的情況。
“2020年之前會發生什么事情呢，晶元的尺寸會改變么，我們認為一定會的，而芯片的價格會保持穩定么，不太可能。同時，我們更需要注重的是技術和設計系統應注重怎樣的創新才能對未來趨勢有更好的適應性。”論壇上，多位發言人這樣表述了自己的觀點。
最后，科銳中國區市場總經理兼SEMI中國LED委員會主席唐國慶先生在演講中提出仍堅信2012年將是LED照明超越與起飛的一年，唯有通過創新的技術才能有效降低成本，才能夠推動市場更快更好發展。
另外，與論壇同期舉辦的SEMICONChina旗下LED制造專區作為中國唯一以LED制造為主題展示平臺也得到業界高度關注，SEMICONChina2012LED制造專區比2011年的規模增長了800%。
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